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更新時間：2026-05-25
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| 品牌 | 其他品牌 | 線寬 | 0.25um |
|---|---|---|---|
| 打印速率 | 18 mm2/h | 樣品台XY雙向重複定位精度 | ≤ 120 nm |
| 小移動步距 | ≤ 50 nm | 相鄰曝光區域拚接 | ≤ 150 nm |
無掩模紫外激光直寫係統
該係統可用於微納結構的高精度圖形加工，實現亞微米級分辨率與高精度定位能力。兼具大麵積圖形加工能力與亞微米級精度保證。應用於微型顯示芯片等光電器件的研發，以及鈣鈦礦等氛圍敏感材料的測試場景，其超緊湊體積可實現手套箱恒定氛圍內使用。
無掩模紫外激光直寫係統主要特點
通過專用軟件完成微納結構設計，係統自動將圖形數據轉換為控製指令，簡化打印流程。
紫外激光束經聲光調製器和高精度振鏡係統協同調製，通過高數值孔徑(NA)物鏡精準聚焦至光刻膠表麵，確保曝光質量。
激光束沿預設路徑執行高速、高精度的逐點掃描曝光，實現亞微米級分辨率的穩定控製。
設備體積小巧，可靈活置入手套箱內，在恒定氛圍環境中穩定運行，滿足鈣礦等氛圍敏感材料的研發與測試需求。
規格參數
| 打印參數 | ||
| 參數項 | 核心指標 | |
| 最小特征尺寸XY | 250 nm | |
| 最小等間距線柵 | 560 nm | |
| 打印速率 | 18 mm²/h | |
| 曝光麵積 | ≥ 0.25 mm × 0.25 mm (單次加工範圍，支持拚接實現更大圖形) | |
| 相鄰曝光區域拚接 | ≤ 150 nm | |
| 係統參數 | ||
| 參數項 | 核心指標 | |
| 樣品台XY雙向重複定位精度 | ≤ 120 nm | |
| 最小移動步距 | ≤ 50 nm | |
| 打印範圍(XY) | 48 × 48 mm² | |
| 基底類型 | 載玻片/圓晶片 | |
| 基片厚度 | 0 – 4.5 mm | |
| 樣品尺寸 | 5 × 5 mm² to 48 × 48 mm² (可按需求定製) | |
| 隔振(可選) | 平台尺寸 ≥ 400 × 30 mm； 帶寬1~200 Hz 效率 >90% @ 5 Hz，90%~99% @10 Hz | |
| 光源 | 405 nm | |
| 長 × 寬 × 高 (僅限光刻單元) | 463 × 160 × 535 mm³ | |
| 重量 (僅限光刻單元) | 12 kg(背包級) | |
| 供電 | 230 VAC ±5 %，50/60 Hz, 16 A | |
應用場景
微納材料與器件原型製備
適用於量子點、功能薄膜、微電 極及微納光電器件樣品的高分辨 圖形化加工。
微光學與衍射功能結構
適用於衍射光學元件（DOE）、周期/非 周期微結構、功能表麵紋理及微光學原 型的高精度製備。
科研樣品快速製備與工藝驗證
麵向高校、科研院所及企業研發部門， 支持微納結構樣品的快速製備、參數 優化與實驗驗證。
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